Categories
Hot Products

Tavă cu carbură de siliciu
Tavă SiC de înaltă puritate pentru procesele semiconductoare RTA PVD ICP CMP Tavă SiC de înaltă puritate pentru procesele semiconductoare RTA PVD ICP CMP

Tavă SiC de înaltă puritate pentru procesele semiconductoare RTA PVD ICP CMP

Tava cu carbură de siliciu de înaltă puritate, formată prin sinterizare, servește ca dispozitiv de transport durabil în procesele de fabricație a semiconductorilor precum RTA, PVD, ICP și CMP.
  • Nr. :

    CS-THG-CZ1001
  • Material : SiC

  • Descriere

Proprietățile SiC Tavă din carbură de siliciu


  1. Gestionare termică superioară:
    • Tava SiC se laudă cu conductivitate termică excelentă, asigurând un transfer eficient de căldură în timpul procesului de fabricație a semiconductorilor.
    • Cu un coeficient de dilatare termică scăzut, menține stabilitatea dimensională, reducând riscul de deformare sau fisurare sub stres termic.
    • Prezentă rezistență remarcabilă la șocuri termice, permițându-i să reziste la schimbările rapide de temperatură fără deteriorare.
  2. Temperatura ridicată și durabilitate plasmatică:
    • Conceput pentru rezistență la temperaturi extreme, tava SiC poate rezista la temperaturile ridicate întâlnite în mediile de procesare a semiconductoarelor.
    • Rezistența la impact cu plasmă o face ideală pentru aplicații care implică gravarea cu plasmă sau alte procese pe bază de plasmă, asigurând longevitate și fiabilitate.
  3. Rezistență chimică:
    • Tava este rezistentă la o gamă largă de acizi puternici, alcalii și reactivi chimici, oferind o protecție robustă împotriva materialelor corozive utilizate în mod obișnuit în fabricarea semiconductoarelor.
    • Această inerție chimică asigură o performanță constantă și o durată de viață extinsă, reducând nevoia de înlocuiri frecvente.
  4. Proprietăți mecanice excepționale:
    • Caracterizată prin duritate ridicată și rezistență ridicată, tava SiC oferă durabilitate și capacitate portantă excepționale.
    • Rezistența sa bună la uzură asigură că tava menține o suprafață netedă și precisă în timp, reducând la minimum riscul de contaminare cu particule în procesele de fabricație sensibile.


Aplicații ale SiC Tavă din carbură de siliciu



  • Tava SiC servește ca o placă de transport esențială în procesele de fabricație a semiconductorilor, inclusiv producția de LED-uri. Combinația sa unică de proprietăți termice, chimice și mecanice îl face o componentă indispensabilă pentru asigurarea preciziei, fiabilității și eficienței operațiunilor moderne de fabricare a semiconductorilor.




Diagrama de mărimi a tăvii din carbură de siliciu SiC

Vă rugăm să furnizați cerințele pentru desen și parametri pentru personalizare.


Tavă din carbură de siliciu Tavă SiC PVD
Art. nr. Diametru
(mm)
Grosimea
(mm)
Puritatea SiC
(%)
CS-THG-CZ1001 230 3 99
CS-THG-CZ1002 300 1,4 99
CS-THG-CZ1003 300 3 99
CS-THG-CZ1004 330 1,4 99
CS-THG-CZ1005 330 3 99


Tavă din carbură de siliciu SiC ICTavă P
Art. nr. Diametru
(mm)
Grosimea
(mm)
Puritatea SiC
(%)
CS-THG-CZ2001 300 3 99
CS-THG-CZ2002 300 4,4 99
CS-THG-CZ2003 330 4,4 99
CS-THG-CZ2004 330 3 99
CS-THG-CZ2005 380 4,4 99
CS-THG-CZ2006 380 3 99


solicitați o ofertă gratuită

dacă aveți întrebări sau sugestii, vă rugăm să ne lăsați un mesaj,

produse asemanatoare
solicitați o ofertă gratuită

dacă aveți întrebări sau sugestii, vă rugăm să ne lăsați un mesaj,

  • CS PINTEREST
  • CS LINKEDIN
  • CS YOUTUBE
  • CS Facebook

Copyright © 2000-2025 CS Ceramic Co.,Ltd.All Rights Reserved.

   

echipa de profesionisti la serviciu !

vorbeste acum

chat live

    lăsați un mesaj și ne vom întoarce prin e-mail. orele normale de chat live sunt mon-fri 9a-5p (est)