info@csceramic.com
Carbura de siliciu sinterizată este
clasifica
la plăci refractare, plăci ceramice SIC lipite prin reacție și plăci SIC rectificate. Produsele noastre SIC rectificate au o puritate ridicată, în timp ce plăcile noastre din carbură de siliciu lipite prin reacție și sinterizate au o rezistență mecanică ridicată.
-
Plăci hexagonale din carbură de siliciu Placă hexagonală obișnuită din ceramică Lungime 20-400 mm / grosime 6-25 puritate 90% PersonalizatCarbura de siliciu (SiC) este un material ceramic ușor, cu proprietăți de rezistență ridicată, comparabile cu diamantul. Este o materie primă ceramică excelentă pentru aplicații care necesită o bună rezistență la eroziune și la abraziune. -
Placă cu carbură de siliciu | Placă SiC de vânzarePlaca de fixare în formă de pește refractar Sic pentru mobilierul cuptorului Setterul sic este utilizat pe scară largă pentru sistemele de structură de încărcare a cuptoarelor tunel, cuptoare navetă și multe alte cuptoare industriale. -
Placă antiglonț din ceramică NIJ IV Nivelul SiC pentru căptușeală de armură și ecranare de protecțiePlaca antiglonț din ceramică SiC se mândrește cu duritate ridicată (HV2600+), protecție la nivel NIJ IV, ideală pentru căptușeală și blindaj pentru vehicule, avioane și nave. -
Plachetă SiC pentru MOSFET, diode Schottky și fotodiodePlaca cu carbură de siliciu, un material semiconductor de nouă generație, este utilizată pentru fabricarea MOSFET-urilor, diodelor Schottky, fotodiodelor și a altor dispozitive electronice. -
Plachete SOI de mare viteză Izolator cu siliciu pe izolație de putere redusă pentru circuite integrate și MEMSPlachete SOI, siliciu pe izolator, unde un strat subțire de siliciu se află pe un substrat izolator, permit funcționarea de mare viteză, cu putere redusă prin reducerea capacității, curentul de scurgere și creșterea vitezei de comutare, adoptate pe scară largă în microelectronică și emergente în fotonică și MEMS. -
Substrat ceramic SiC de mare putere Tipuri conductive și semiizolanteSubstratul SiC, material de bază pentru cipuri semiconductoare, în tipuri conductoare și semi-izolante, acceptă aplicații de înaltă temperatură, de înaltă tensiune, de mare putere, disponibile în diametre de 2-8 inchi (50-200 mm). -
Tavă SiC de înaltă puritate pentru procesele semiconductoare RTA PVD ICP CMPTava cu carbură de siliciu de înaltă puritate, formată prin sinterizare, servește ca dispozitiv de transport durabil în procesele de fabricație a semiconductorilor precum RTA, PVD, ICP și CMP.
+86 18273288522