-
Plachete cu plan C cu substrat de safir pentru epitaxia de nitrură III-V în fabricarea de cipuri semiconductoareSubstratul de safir, rezistent la temperaturi ridicate, coroziune și cu nepotrivire redusă a rețelei, este ideal pentru plăcile epitaxiale cu nitrură III-V, cum ar fi GaN, în fabricarea cipurilor semiconductoare.